Специализация: 010900 Прикладная математика и физика
Программа: 04 Оптика полупроводниковых наноструктур и нанотехнологии
Руководитель программы: д.ф.-м.н., проф. В.Ф. Агекян
Кафедра физики твердого тела
Научный руководитель: д.ф.-м.н., проф. В.Ф. Агекян
Рецензент: д.ф.-м.н. С. Ю. Вербин

Люминесценция слоёв нитрида галлия, легированного кремнием
Шелухин Леонид Андреевич

В работе проведен сравнительный анализ качества слоев GaN, выращенных методами хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (ХГФЭ) с различной степенью легирования кремнием. Исследовались спектры фотолюминесценции (ФЛ) и отражения, вольтамперные характеристики. Определена температурная зависимость отношения интенсивностей 1LO-и 2LO-реплик A-экситона.
	На основе полученных данных  сделаны следующие выводы:
•	При умеренном легировании кремнием эпитаксиальных слоёв нитрида галлия некоторые типы дефектов в структуре либо компенсируются, либо образуются в меньшем количестве.
•	По мере увеличения концентрации кремния  в кристаллах GaN:Si наблюдаются уширение экситонной структуры спектров отражения и люминесценции и сдвиг спектров в сторону низких энергий до  = 5∙1018. При больших значениях  направление сдвига спектра излучения изменяется.
•	В экситонных спектрах и ВАХ эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием, ярко проявляются образование примесной зоны и ее слияние с зоной проводимости в интервале концентраций кремния от 5∙1018 до 5∙1019 см-3.
•	Анализ температурной зависимости отношения интегральных интенсивностей первого и второго фононных повторений экситона в спектре излучения позволяет сделать вывод о высоком качестве нелегированного и слабо легированного образцов нитрида галлия, выращенных методом гидрид-хлоридной эпитаксии.

Список публикаций
1. Borisov Eugeny, Shelukhin Leonid. Optical properties of GaN epitaxial layers doped with Si // Conference Abstracts. International Student Conference “Science and Progress”. St. Petersburg – Peterhof, 2012.