Специализация: 010700/04 Физика полупроводников. Микроэлектроника.
Программа: 18 Физика полупроводников и диэлектриков
Руководитель программы: д. ф.-м. н. проф. П. П. Коноров
Кафедра электроники твердого тела
Научный руководитель: проф., д. ф.-м. н., А. М. Яфясов
Рецензент: аспирант, магистр физики. В. Ю. Михайловский

Электролит – Диэлектрик – Полупроводник и Металл – Диэлектрик – Полупроводник структуры в системе Германий – Жидкие Кристаллы 
Рогушкин Кирилл Александрович

В работе представлено исследование ВАХ и ВФХ чистого германия в сравнении с системой Ge+ЖК и МДП-структурой, полученной на основе ЖК. Найдена методика нанесения ЖК на подготовленную поверхность германия, а также способ создания МДП-структуры. С помощью СЭМ подтверждается гипотеза о формировании пленочной ЖК-структуры, установлены ее пассивирующие свойства. Обсуждается эквивалентная схема МФГ чистого германия  и системы Ge+ЖК. Измерения проводились на установках переменного гармонического и импульсного сигналов на частотах от 1КГц до 100КГц и основывались на эффекте поля. Основными результатами работы являются:
1. Установление областей идеальной поляризуемости для системы Ge+ЖК. По сравнению с чистым германием эта область увеличилась на 0.12В, наклон кривой ВАХ  становился более пологим, как при анодной, так и при катодной поляризации. Показано, что после нанесения ЖК плотность ПС при напряжениях, близких к минимуму емкости, уменьшалась на 1,4*1010 см-2. В пленке ЖК формировался встроенный положительный заряд значением 1,1*10-8 Кл/см2.
2. Анализ различия ЕЧХ для чистого германия и системы Ge+ЖК. При  катодных напряжениях (порядка -0.7В) емкость системы Ge+ЖК ниже примерно в 5 раз, начиная с частоты 10КГц, и слабо зависит от частоты измерительного сигнала. При анодной поляризации (порядка -0.19В), а также при напряжениях вблизи минимума емкости (порядка -0.38В) ЕФХ этих систем практически совпадают для всех частот измерительного сигнала. 
3. Сильное увеличение модуляции емкости(4-10 раз) при небольших по величине катодных токов(~200mkA/cm2). Подобный эффект может найти применение при создании варикапа на основе МДП-структуры, где в роли диэлектрика будет выступать слой ЖК.

Список публикаций
1. Kungurtsev Eugene, Rogushkin Kirill. Thin Ni films on Ge substrate// conference abstracts  of International Student Conference “Science and Progress”. (2011).
2. Rogushkin Kirill. Research of capacity of the system “germanium-liquid crystals”//conference abstracts  of International Student Conference “Science and Progress”. (2012).