Специализация: 010700/04 Физика полупроводников. Микроэлектроника.
Программа: 18 Физика полупроводников и диэлектриков
Руководитель программы: д. ф.-м. н. проф. П. П. Коноров
Кафедра электроники твердого тела
Научный руководитель: проф., д. ф.-м. н., С. А. Комолов
Рецензент: проф., д.ф.-м. А. М. Шикин.

Низкоэнергетические электронные спектры пленок замещенных периленов на поверхности германия. 
Чепилко Никита Сергеевич

В работе представлено исследование электронной структуры интерфейсов, сформированных плёнками тетракарбоксила-диангидрида перилена (PTCDA), диоктил-прилен-дикарбоксимида (PTCDI-C8) и бис-бензил-прилен-дикарбоксимида (BPTCDI) на поверхности германия, и выявлено влияние заместителей на структуру незаполненных электронных состояний производных перилена. Методикой исследования являлась низкоэнергетическая спектроскопия полного тока. Основными результатами работы являются:
1. Установлены ширина и форма потенциальных барьеров в исследованных интерфейсах. При формировании плёнки PTCDA наблюдается перенос электронной плотности из пленки в подложку, что соответствует изменению положения работы выхода поверхности примерно на 0.35 эВ. В процессе напыления плёнок PTCDI-C8 и BPTCDI отчетливых изменений значений работы выхода не наблюдалось.
2. Установлена связь между химической структурой молекул и структурой электронных состояний пленок PTCDA, PTCDI-C8 и BPTCDI. Группа особенностей с энергиями 15-22 эВ соответствует σ* состояниям в бензольных кольцах ядер молекул и фенильной группы BPTCDI, максимумы  в области 8-13 эВ – связям кислорода, азота и углерода в карбоксид-диангидридных и диимидных группах, а максимум в области 6 эВ – π* орбиталям периленового ядра молекул.

Список публикаций
1. А.С. Комолов, Э.Ф. Лазнева, С.А. Пшеничнюк, А.А. Гавриков, Н.С. Чепилко, А.А. Томилов, Н.Б. Герасимова, А.А. Лезов, П.С. Репин. Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди. //  Физика и техника полупроводников, 2013, т. 47, в. 7, с. 948-953
2. А.С. Комолов, Э.Ф. Лазнева, Н.С. Чепилко, Н.Б. Герасимова. Фотовольтаические свойства гетероперехода на основе пленок фталоцианина меди на поверхности поликристаллического сульфида кадмия // Физика твердого тела, 2013, т. 55, в. 7, с. 1277-1280 
3. A. S. Komolov, E. F. Lazneva, S. N. Akhremtchik, N. S. Chepilko, and A. A. Gavrikov. Unoccupied Electronic States at the Interface of Oligo (phenylene-vinylene) Films with Oxidized Silicon //The Journal of Physical Chemistry C. (2013).