Лаборатория физики межфазовых границ.


Барабан А.П.

Зам.зав.кафедрой - профессор Барабан Александр Петрович.
Координаты: Блок М, к.333, тел.428-44-98, E-mail: baraban@paloma.spbu.ru

       Основная задача - изучение неравновесных электронных процессов, протекающих в диэлектрических слоях на поверхности полупроводников при наличии в них сильных электрических полей. Наличие сильного электрического поля (~ 10 МВ/см) в диэлектрическом слое приводит к значительному разогреву инжектированных электронов и сопровождается диссипацией их избыточной энергии. Среди каналов диссипации избыточной энергии электронов особое внимание уделяется таким процессам, как дефектообразование (определяет процессы деградации ДП- структур), излучательная диссипация энергии (электролюминесценция) и процесс ударной ионизации матрицы диэлектрического слоя.

       В качестве подложек используются кремний и полупроводники группы А3В5. В качестве диэлектрических слоев используются слои SiO2 и их модификации (создаются путем ионной имплантации в окисный слой), слои Si3N4 и SiyOzNx, слои Al2O3 и слоистые диэлектрические покрытия (в том числе с квантоворазмерными ямами), создаваемые в основном методами молекулярного наслаивания и магнетронного распыления.

       При экспериментальных исследованиях используются методы, основанные на измерении вольт-фарадных характеристик: метод послойного стравливания, метод полевых циклов и др., метод электролюминесценции, метод термостимулированной деполяризации и метод спектральной фотоемкости.

       Основная особенность исследований заключается в использовании системы электролит- диэлектрик- полупроводник, обладающей рядом преимуществ перед традиционной используемой для подобных исследований системой металл- диэлектрик- полупроводник.